5962-8687519XA和IDT7130SA35CB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5962-8687519XA IDT7130SA35CB 5962-8687519XX

描述 SRAM Chip Async Dual 5V 8Kbit 1K x 8 35ns 48Pin SBCDIPHIGH -SPEED 1K ×8双端口静态RAM HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAMMulti-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48,

数据手册 ---

制造商 E2V Integrated Device Technology (艾迪悌) E2V

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 48 - -

封装 DIP DIP DIP

位数 8 - -

存取时间(Max) 35 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Active Unknown Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

ECCN代码 3A001.a.2.c 3A001 -

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