70V657S10BFG8和70V657S10DRG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S10BFG8 70V657S10DRG 70V657S10BC

描述 静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAMIC SRAM 1.125Mbit 10NS 208QFP静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 256

封装 CABGA-208 BFQFP-208 CABGA-256

安装方式 - Surface Mount -

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 - - 10 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

长度 15 mm 28.0 mm 17 mm

宽度 15 mm 28.0 mm 17 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 CABGA-208 BFQFP-208 CABGA-256

厚度 1.40 mm 3.50 mm 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台