对比图
型号 FDW2503N SI6954ADQ-T1-GE3 FDS6990AS
描述 双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 2Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MO-153, TSSOP-8PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
封装 TSSOP-8 TSSOP SOIC-8
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 TSSOP-8 TSSOP SOIC-8
长度 4.4 mm - 5 mm
宽度 3 mm - 4 mm
高度 1 mm - 1.5 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17
漏源极电阻 17 mΩ - 22 mΩ
耗散功率 1 W - 2 W
阈值电压 - - 1.7 V
漏源极电压(Vds) 20 V - 30 V
输入电容(Ciss) 1082pF @10V(Vds) - 550pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 600 mW - 900 mW
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 1600 mW
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 5.50 A - -
通道数 2 - -
极性 N-Channel - -
漏源击穿电压 20 V - -
栅源击穿电压 ±12.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 5.50 A - -
上升时间 8 ns - -
下降时间 8 ns - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
ECCN代码 EAR99 - -