BZV55-B9V1,115和TZMB9V1-GS08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B9V1,115 TZMB9V1-GS08 BZT55C9V1-GS08

描述 NXP  BZV55-B9V1,115  单管二极管 齐纳, 9.1 V, 400 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor500mW,BZT55 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-80 SOD-80 SOD-80

容差 ±2 % ±2 % ±5 %

正向电压 900mV @10mA 1.5V @200mA 1.5V @200mA

耗散功率 400 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

稳压值 9.1 V 9.1 V 9.1 V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 0.5 W

针脚数 2 - -

正向电压(Max) 900mV @10mA - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

长度 - 3.5 mm 3.7 mm

宽度 - 1.5 mm 1.6 mm

高度 - 1.5 mm 1.6 mm

封装 SOD-80 SOD-80 SOD-80

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

温度系数 5.5 mV/K - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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