1N5811US和YG802C04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5811US YG802C04 JANTX1N5811

描述 整流器 D MET 6A SFST 150V SURFACE MNTSCHOTTKY BARRIER DIODEDiode Switching Diode 150V 6A 2Pin Case G-112

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation FUJI (富士电机) Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 SQ-MELF - G-112

反向恢复时间 30 ns - 30 ns

正向电压(Max) - - 875mV @4A

正向电压 875mV @4A - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 SQ-MELF - G-112

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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