对比图
型号 SI4403CDY-T1-GE3 FDS4435BZ_F085 FDS4435BZ
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4435BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.016 ohm, -10 V, -2.1 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Intertechnology Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 - SOIC-8 SOIC-8
极性 - P-CH P-Channel
耗散功率 - 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 8.8A -8.80 A
上升时间 - 6 ns 6 ns
输入电容(Ciss) - 1845pF @15V(Vds) 1845pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 1 W 1 W
下降时间 - 12 ns 12 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - - -30.0 V
额定电流 - - -8.80 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.016 Ω
输入电容 - - 1.36 nF
栅电荷 - - 41.0 nC
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
长度 - 4.9 mm 5 mm
宽度 - 3.9 mm 4 mm
高度 - 1.575 mm 1.5 mm
封装 - SOIC-8 SOIC-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99