IXFH110N25T和IXFH120N25T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH110N25T IXFH120N25T IXFK120N25

描述 N沟道 250V 110ATO-247AD N-CH 250V 120ATrans MOSFET N-CH 250V 120A 3Pin(3+Tab) TO-264AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

通道数 1 1 1

漏源极电阻 24 mΩ 23 mΩ 22 mΩ

耗散功率 694W (Tc) 890 W 560 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V

上升时间 - 16 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)

下降时间 - 19 ns 35 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 694W (Tc) 890W (Tc) 560W (Tc)

极性 N-CH N-CH -

连续漏极电流(Ids) 110A 120A -

阈值电压 - 5 V -

长度 - - 19.96 mm

宽度 - - 5.13 mm

高度 - - 26.16 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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