JAN2N3821和MX2N3821

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3821 MX2N3821 2N3821

描述 JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORSN-Channel JFET Transistorl技术参数 TECHNICAL DATA

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

引脚数 4 - -

封装 TO-72 TO-72 TO-72

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-72 TO-72 TO-72

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -

漏源极电压(Vds) - - 50 V

击穿电压 - - 50 V

输入电容(Ciss) - - 6pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 300 mW

工作温度 - - -55℃ ~ 200℃ (TJ)

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