BUL38D和BUL49D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUL38D BUL49D KSC5305DTU

描述 STMicroelectronics### 双极晶体管,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管,包括通用、达林顿、功率和高电压设备,采用表面安装和通孔封装。高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistorsNPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

位数 - - 1

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 80 W 80 W 75 W

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V 400 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @10mA, 5V 4 @7A, 10V 8 @2A, 1V

额定功率(Max) 80 W 80 W 75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 80000 mW 80000 mW 75 W

额定电压(DC) 450 V 450 V -

额定电流 10.0 A 5.00 A -

针脚数 3 - -

最大电流放大倍数(hFE) 60 - -

直流电流增益(hFE) 22 - -

长度 10.4 mm - 9.9 mm

宽度 4.6 mm - 4.7 mm

高度 15.75 mm - 15.7 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台