IRFR4105Z和IRFR4105ZTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR4105Z IRFR4105ZTRPBF AUIRFR4105Z

描述 DPAK N-CH 55V 30AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

漏源极电阻 19.0 mΩ 24.5 mΩ 24.5 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 48W (Tc) 48 W 48 W

产品系列 IRFR4105Z - AUIRFR4105Z

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

输入电容(Ciss) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds) 740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 48 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 30.0 A - -

漏源击穿电压 55.0V (min) - -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30A -

上升时间 40.0 ns 40 ns -

耗散功率(Max) 48W (Tc) 48W (Tc) -

额定功率 - 48 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 740 pF -

下降时间 - 24 ns -

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

高度 - 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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