BZX55B7V5-TR和JANTX1N755C-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55B7V5-TR JANTX1N755C-1

描述 齐纳二极管 500mW,BZX55B 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 DO-35 DO-35-2

耗散功率 500 mW 0.5 W

测试电流 5 mA 20 mA

稳压值 7.5 V 7.5 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW -

容差 - ±5 %

正向电压 - 1.1V @200mA

额定功率(Max) - 500 mW

长度 3.9 mm 5.08 mm

封装 DO-35 DO-35-2

包装方式 Tape & Reel (TR) Bag

最小包装 10000 -

产品生命周期 - Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 175℃

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台