对比图
型号 IXTA1N100 IXTP1N100 IXTT1N100
描述 TO-263AA N-CH 1000V 1.5ATO-220AB N-CH 1000V 1.5ATO-268 N-CH 1000V 1.5A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-268-3
引脚数 3 3 -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 54 W 54 W 60 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 1.5A 1.5A 1.5A
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 54 W - 60 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 54W (Tc) 54W (Tc) 60W (Tc)
上升时间 19 ns 19 ns -
下降时间 18 ns 18 ns -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-268-3
长度 10.29 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Not Recommended
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free