IRFR2407TR和IRFR2407TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR2407TR IRFR2407TRPBF IRFR2407

描述 DPAK N-CH 75V 42AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。N沟道,75V,42A,26mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 110W (Tc) 110 W 110 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 42A 42A 42.0 A

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) -

额定功率 - 110 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0218 Ω -

阈值电压 - 4 V -

上升时间 - 90 ns 90.0 ns

额定功率(Max) - 110 W -

下降时间 - 66 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 42.0 A

产品系列 - - IRFR2407

漏源击穿电压 - - 75.0 V

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

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