IXTK5N250和IXTX5N250

对比图

型号 IXTK5N250 IXTX5N250 TX-5N

描述 N沟道 2.5kV 5APLUS N-CH 2500V 5APower Field-Effect Transistor, 5A I(D), 2500V, 8.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 960000 mW 960W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 2500 V 2500 V -

连续漏极电流(Ids) 5A 5A -

上升时间 20 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 8560pF @25V(Vds) 8560pF @25V(Vds) -

下降时间 44 ns 44 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 960W (Tc) 960W (Tc) -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -