对比图
型号 SIHF7N60E-E3 SPA08N50C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1
描述 VISHAY SIHF7N60E-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 VInfineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装INFINEON SPA07N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 560 V 650 V
额定电流 - 7.60 A 7.30 A
漏源极电阻 0.5 Ω 0.5 Ω 0.54 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 31 W 32 W 32 W
阈值电压 2 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 650 V
连续漏极电流(Ids) - 7.60 A 7.30 A
上升时间 13 ns 5 ns 3.5 ns
输入电容(Ciss) - 750pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 7 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 32 W 32000 mW
针脚数 3 - 3
输入电容 - - 790 pF
栅电荷 - - 27.0 nC
通道数 1 - -
漏源击穿电压 600 V - -
长度 10.41 mm 10.65 mm 10.65 mm
宽度 4.7 mm 4.85 mm 4.85 mm
高度 15.49 mm 16.15 mm 9.83 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 - Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -