对比图
型号 PEMH19 PEMH19,115
描述 NPN / PNP电阻配备晶体管 NPN/PNP resistor-equipped transistorsSOT-666 NPN 50V 100mA
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6
封装 SOT-563 SOT-666-6
耗散功率 - 0.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @1mA, 5V 100 @1mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
极性 NPN NPN
集电极最大允许电流 100mA 100mA
长度 - -
宽度 - -
高度 - 0.6 mm
封装 SOT-563 SOT-666-6
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - -