IXFH110N10P和IXFV110N10PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH110N10P IXFV110N10PS IXFV110N10P

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH110N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-220-3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 480 W 480W (Tc) 480W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 110 A 110 A -

输入电容(Ciss) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.015 Ω - -

阈值电压 5 V - -

漏源击穿电压 100 V - -

上升时间 25 ns - -

额定功率(Max) 480 W - -

下降时间 25 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-247-3 PLUS-220SMD TO-220-3

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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