IS42S32800D-7TL-TR和IS42S32800J-7TL-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800D-7TL-TR IS42S32800J-7TL-TR IS42S32800D-7TL

描述 DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II T/R256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86Pin TSOP II RoHS, T&RRAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 86 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

供电电流 150 mA - 150 mA

时钟频率 - - 143 MHz

位数 32 32 32

存取时间 - 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 6.5ns, 5.4ns - 6.5ns, 5.4ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 - - 22.42 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 1.05 mm - 1.05 mm

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free

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