IRF7103IPBF和SI4946BEY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7103IPBF SI4946BEY-T1-E3 SI4330DY-T1-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8Pin SOIC T/R双N通道60 -V ( D- S) 175℃ MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 3.7 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.033 Ω -

极性 - N-Channel, Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 2.4 W 1.1 W

阈值电压 - 2.4 V -

漏源极电压(Vds) - 60 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 65.0 A 8.70 A

反向恢复时间 - 25 ns -

正向电压(Max) - 1.2 V -

输入电容(Ciss) - 840pF @30V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.4 W 1.1 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

耗散功率(Max) - 3.7 W 2000 mW

上升时间 - - 10 ns

下降时间 - - 12 ns

产品系列 IRF7103I - -

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.55 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台