2SK1120和IRFPG50

对比图

型号 2SK1120 IRFPG50 IRFPG50PBF

描述 TO-3PN N-CH 1000V 8AMOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247ACMOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 - 1 -

耗散功率 - 190W (Tc) 190W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V -

输入电容(Ciss) - 2800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 190W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 8A - -

宽度 - 5.31 mm -

封装 TO-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -