对比图
型号 IXFT86N30T IXTQ88N30P IXFT88N30P
描述 TO-268 N-CH 300V 86AIXYS SEMICONDUCTOR IXTQ88N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 VTO-268 N-CH 300V 88A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-268-3 TO-3-3 TO-268-2
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 830 W 600 W 600W (Tc)
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 86A 88.0 A 88A
上升时间 18 ns 24 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 11300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)
下降时间 54 ns 25 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 860W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 43 mΩ 0.04 Ω -
反向恢复时间 - 250 ns -
额定功率(Max) 830 W 600 W -
漏源击穿电压 300 V - -
宽度 14 mm - 14 mm
封装 TO-268-3 TO-3-3 TO-268-2
长度 16.05 mm - -
高度 5.1 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -