对比图
型号 CY7C1412BV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZXI CY7C1412KV18-250BZI
描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1381D 系列 36 Mb (2 M x 18) 250 MHz 2.9 V QDR® II SRAM- FBGA-16536 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
位数 - 18 18
存取时间(Max) - 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
供电电流 - 610 mA -
时钟频率 - 250 MHz -
存取时间 - 1 ms -
电源电压(Max) - 1.9 V -
电源电压(Min) - 1.7 V -
高度 0.89 mm - 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a