KSD1221G和KSD1221YTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSD1221G KSD1221YTU KSD1221

描述 IPAK NPN 60V 3ATrans GP BJT NPN 60V 3A 3Pin(3+Tab) IPAK RailSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Samsung (三星)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 IPAK TO-251-3 -

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 3.00 A -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -

集电极最大允许电流 3A 3A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @500mA, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 IPAK TO-251-3 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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