CY7C1371DV33-133AXI和CY7C1371KVE33-133AXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1371DV33-133AXI CY7C1371KVE33-133AXI CY7C1371DV33-133BZI

描述 18兆位( 512K的×36 )流通型SRAM与NoBLâ ?? ¢架构 18-Mbit (512 K x 36) Flow-Through SRAM with NoBL™ Architecture静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S18兆位( 512K的×36 )流通型SRAM与NoBLâ ?? ¢架构 18-Mbit (512 K x 36) Flow-Through SRAM with NoBL™ Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 100 100 165

封装 TQFP-100 TQFP-100 FBGA-165

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

位数 36 36 -

存取时间 6.5 ns 6.5 ns 6.5 ns

存取时间(Max) 6.5 ns 6.5 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

时钟频率 - - 133 MHz

封装 TQFP-100 TQFP-100 FBGA-165

高度 1.4 mm - 0.89 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.b -

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