对比图
型号 IXFN170N10 STE250NS10 IXFN150N10
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN170N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STE250NS10 晶体管, MOSFET, N沟道, 125 A, 100 V, 0.0045 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227B
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Screw Chassis
引脚数 3 4 4
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 220 A 150 A
额定功率 600 W 500 W -
针脚数 3 4 -
漏源极电阻 0.01 Ω 4.5 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 600 W 500 W 520 W
阈值电压 4 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 170 A 220 A -
上升时间 90 ns 380 ns 60 ns
输入电容(Ciss) 10300pF @25V(Vds) 31000pF @25V(Vds) 9000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 500 W 520 W
下降时间 79 ns 300 ns 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 500W (Tc) 520W (Tc)
通道数 1 - -
长度 38.3 mm 38.2 mm 38.23 mm
宽度 25.07 mm 25.5 mm 25.42 mm
高度 9.6 mm 9.1 mm 9.6 mm
封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -