BZD27C8V2P-E3-08和BZD27C8V2P-GS08

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C8V2P-E3-08 BZD27C8V2P-GS08 BZD27C8V2P-HE3-08

描述 Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2PinVISHAY  BZD27C8V2P-GS08  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 800 mW, DO-219AB, 2 引脚, 150 °CZener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMF, 2Pin

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Vishay Semiconductor (威世) Vishay Intertechnology

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-219AB DO-219AB DO-219AB

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.9 mm -

高度 - 0.98 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Cut Tape (CT) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

击穿电压 - 9.60 V -

针脚数 - 2 -

耗散功率 - 800 mW -

测试电流 - 100 mA -

稳压值 - 8.2 V -

正向电压(Max) - 1.2V @200mA -

额定功率(Max) - 800 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

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