IRF5305STRR和IRF5305STRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF5305STRR IRF5305STRRPBF IRF5305S

描述 D2PAK P-CH 55V 31AD2PAK P-CH 55V 31AD2PAK P-CH 55V 31A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定电压(DC) - - -55.0 V

额定电流 - - -31.0 A

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8 W 110 W

产品系列 - - IRF5305S

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55.0 V

漏源击穿电压 - - -55.0 V

连续漏极电流(Ids) 31A 31A 31.0 A

上升时间 - 66 ns 66 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

下降时间 - 63 ns 63 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) 3800 mW

通道数 - 1 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

宽度 - 6.22 mm -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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