对比图
型号 CY7C1414BV18-250BZXI CY7C1414KV18-250BZI CY7C1414KV18-250BZXI
描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
针脚数 - - 165
位数 36 36 36
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
存取时间 - 0.45 ns -
电源电压(Max) - 1.9 V -
电源电压(Min) - 1.7 V -
高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 - 3A991 3A991