对比图
型号 AUIRLR3915TRL IRLR3915TRPBF AUIRLR3915
描述 DPAK N-CH 55V 61AN沟道 55 V 120 W 61 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AADPAK N-CH 55V 61A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 12 mΩ 0.012 Ω 0.012 Ω
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 120 W 120 W 120 W
阈值电压 - 3 V 1 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55 V - 55 V
连续漏极电流(Ids) 61A 61A 61A
上升时间 51 ns 51 ns 51 ns
输入电容(Ciss) 1870pF @25V(Vds) 1870pF @25V(Vds) 1870pF @25V(Vds)
下降时间 100 ns 100 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 120000 mW 120W (Tc) 120W (Tc)
额定功率 - 120 W -
针脚数 - 3 -
输入电容 - 1870 pF -
额定功率(Max) - 120 W -
长度 6.5 mm 6.73 mm 6.5 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17