CBR04C409B5GAC和GJM1555C1H4R0BB01W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CBR04C409B5GAC GJM1555C1H4R0BB01W C1005C0G1H040B

描述 射频电容, C0G / NP0, 4 pF, 50 V, HiQ-CBR系列, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]0402 4pF ±0.1pF 50V C0GCap Ceramic 4pF 50V C0G 0.1pF SMD 0402 125℃ T/R

数据手册 ---

制造商 KEMET Corporation (基美) muRata (村田) TDK (东电化)

分类 电容陶瓷电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - - 2

封装(公制) 1005 1005 1005

封装 0402 0402 0402

额定电压(DC) 50 V 50 V 50.0 V

电容 4 pF 4 pF 4 PF

电介质特性 - - C0G/NP0

容差 ±0.1 pF ±0.1 pF -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定电压 50 V - -

产品系列 - GJM -

长度 1.00 mm 1 mm 1 mm

宽度 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm

高度 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm

封装(公制) 1005 1005 1005

封装 0402 0402 0402

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

材质 C0G/-55℃~+125℃ C0G/-55℃~+125℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

产品生命周期 Active Active -

最小包装 1 20000 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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