对比图
型号 2N3714 JAN2N3716 JANTXV2N3715
描述 NTE ELECTRONICS 2N3714 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80V, 4MHz, 150W, 10A, 40 hFENPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORNPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 2 3 -
封装 TO-3 TO-3 TO-3
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 60 V
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @3A, 2V 30 @3A, 2V
额定功率(Max) - 5 W 5 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 5000 mW -
极性 NPN - -
耗散功率 150 W - -
直流电流增益(hFE) 40 - -
封装 TO-3 TO-3 TO-3
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tray Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 -