TD62064BP-1和ULN2065B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TD62064BP-1 ULN2065B ULS2065H883

描述 PDIP NPN 80V 1.5ASTMICROELECTRONICS  ULN2065B  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 80 V, 4.3 W, 1.5 A, DIPPower Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 16 Pin, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-6

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) Allegro MicroSystems (急速微电子)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 16 -

封装 PDIP PDIP-16 -

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 1.50 A -

输出电压 - 50 V -

输出电流 - 1.5 A -

通道数 - 4 -

针脚数 - 16 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 4.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -20 ℃ -

耗散功率(Max) - 4300 mW -

集电极最大允许电流 1.5A - -

长度 - 20 mm -

宽度 - 7.1 mm -

高度 - 5.1 mm -

封装 PDIP PDIP-16 -

工作温度 - -20℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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