BFR181T和FMMT5179TA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR181T FMMT5179TA BFQ81

描述 BFR181T NPN三极管 20V 20mA 8Ghz 50~200 SOT-23/SC-59 marking/标记 RF 低噪声,高增益宽带放大器双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RFTransistor,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Diodes (美台) Vishay Intertechnology

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SC-75 SOT-23-3 -

额定电压(DC) - 12.0 V -

额定电流 - 50.0 mA -

极性 - NPN -

耗散功率 - 330 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -

增益 19.5 dB 15 dB -

集电极最大允许电流 - 0.05A -

最小电流放大倍数(hFE) - 25 @3mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) - 25 @3mA, 1V -

额定功率(Max) - 330 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 175 mW - -

长度 - 3.05 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SC-75 SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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