对比图
型号 IXFH23N80Q IXFT24N80P IXFH24N80P
描述 TO-247AD N-CH 800V 23ATO-268 N-CH 800V 24AIXYS SEMICONDUCTOR IXFH24N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3
引脚数 3 - 3
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 400 mΩ 0.4 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 500W (Tc) 650 W 650 W
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 - 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 23A 24A 24.0 A
上升时间 27 ns 27 ns 27 ns
输入电容(Ciss) 4900pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds) 7200pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 24 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 650W (Tc) 650W (Tc)
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 5 V
长度 - 16.05 mm 16.26 mm
宽度 - 14 mm 5.3 mm
高度 - 5.1 mm 21.46 mm
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15