BFQ67W和BFQ67,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFQ67W BFQ67,215 BFQ67W,115

描述 NPN 8 GHz宽带晶体管 NPN 8 GHz wideband transistorNXP  BFQ67,215  射频晶体管, NPNNXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-23-3 SOT-323-3

频率 - 8000 MHz 8000 MHz

针脚数 - 3 -

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 300 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V 10 V

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @15mA, 5V 60 @15mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 60 -

额定功率(Max) - 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 100 60

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

长度 - 3 mm 2.2 mm

宽度 - 1.4 mm 1.35 mm

高度 - 1 mm 1 mm

封装 SOT-323-3 SOT-23-3 SOT-323-3

材质 - Silicon -

工作温度 - 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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