对比图
型号 IRL520N IRL520NPBF IRL520
描述 TO-220AB N-CH 100V 10AINFINEON IRL520NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 180 mohm, 10 V, 2 VPower Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-220 TO-220-3 -
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 10.0 A - -
极性 N-CH N-Channel -
产品系列 IRL520N - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10A -
上升时间 35.0 ns 35 ns -
额定功率 - 48 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.18 Ω -
耗散功率 - 48 W -
阈值电压 - 2 V -
输入电容 - 440 pF -
漏源击穿电压 - 100 V -
输入电容(Ciss) - 440pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 48 W -
下降时间 - 22 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 48W (Tc) -
封装 TO-220 TO-220-3 -
长度 - 10 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 8.77 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -