IRS2110SPBF和IRS2113SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS2110SPBF IRS2113SPBF IRS2110STRPBF

描述 INFINEON  IRS2110SPBF  双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2A输出, 120ns延迟, SOIC-16INFINEON  IRS2113SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, SOIC-16P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min) 10.0V (min)

上升/下降时间 25ns, 17ns 25ns, 17ns 25ns, 17ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 1250 mW 1250 mW 1250 mW

静态电流 - - 340 µA

上升时间 - - 25 ns

下降时间 - - 17 ns

下降时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

上升时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

额定功率 1.25 W 1.25 W -

输出电压 500 V 600 V -

输出电流 2.5 A 2.5 A -

通道数 2 2 -

针脚数 16 16 -

电源电压(Max) 20 V 20 V -

电源电压(Min) 10 V 10 V -

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

长度 10.5 mm 10.5 mm -

宽度 7.6 mm 7.6 mm -

高度 2.35 mm 2.35 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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