MUN2112T1G和PDTA124XT,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2112T1G PDTA124XT,215 DDTA124TKA-7-F

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorTO-236AB PNP 50V 100mA双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-59-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.338 W 0.25 W 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 60 @5mA, 10V 80 @5mA, 5V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 230 mW 250 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

增益带宽 - - 250 MHz

耗散功率(Max) 338 mW 250 mW 200 mW

额定电压(DC) -50.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 - - 3.1 mm

宽度 - - 1.7 mm

高度 - 1 mm 1.3 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-59-3

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 - -

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