IR2127S和IR2127STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2127S IR2127STRPBF IR2127SPBF

描述 600V High Side Driver IC with typical 0.25A source and 0.5A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IR2127SPBF  芯片, MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 20.0V (max) - 10.0V (min)

额定功率 - - 625 mW

上升/下降时间 - 80ns, 40ns 80ns, 40ns

输出接口数 1 1 1

输出电压 ≥10.0 V - 620 V

输出电流 200 mA - 250 mA

通道数 - - 1

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 625 mW 625 mW

静态电流 - 60 µA 60 µA

上升时间 - 80 ns 80 ns

下降时间 - 40 ns 40 ns

下降时间(Max) - 65 ns 65 ns

上升时间(Max) - 130 ns 130 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW

电源电压 - 12V ~ 20V 12V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 10 V 10 V

产品系列 IR2127 - -

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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