对比图
型号 IRF6810STR1PBF IRF6810STRPBF
描述 Direct-FET N-CH 25V 16ADirect-FET N-CH 25V 16A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 Direct-FET DirectFET-S1
极性 N-CH N-CH
耗散功率 2.1 W 2.1 W
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 16A 16A
上升时间 22 ns 22 ns
输入电容(Ciss) 1038pF @13V(Vds) 1038pF @13V(Vds)
下降时间 4.8 ns 4.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 20W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc)
长度 3 mm 4.85 mm
宽度 3 mm 3.95 mm
高度 1.11 mm 0.595 mm
封装 Direct-FET DirectFET-S1
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99