对比图
型号 KSH2955TF MJD2955 NJVMJD2955T4G
描述 PNP 1.75 W 60 V 10 A 表面贴装 外延硅 晶体管 - TO-252-3互补功率晶体管 Complementary Power Transistors互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -10.0 A -
极性 - PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) - 100 -
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW
频率 2 MHz - 2 MHz
耗散功率 1.75 W - 1.75 W
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2500 -
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free