TLV2262AIDG4和TLV2262AIDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2262AIDG4 TLV2262AIDRG4 TLC2262AIDRG4

描述 高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 400 µA 400 µA 425 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 670 kHz 670 kHz 820 kHz

转换速率 550 mV/μs 550 mV/μs 550 mV/μs

增益频宽积 710 kHz 710 kHz 0.82 MHz

过温保护 No No No

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.71 MHz 0.71 MHz -

电源电压 2.7V ~ 8V 2.7V ~ 8V -

电源电压(Max) 8 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

输出电流 - ≤50 mA ≤50 mA

耗散功率(Max) - 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

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