BZV55-C5V6和RLZTE-1133B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C5V6 RLZTE-1133B BZT52C5V6-E3-08

描述 Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional电压调节玻璃封装型。 (LLDS)高可靠性。齐纳二极管Zener Diode, 5.6V V(Z), 7.14%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Vishay Intertechnology

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - Mini-MELF -

容差 - ±3 % -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 31.1 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

长度 - 3.4 mm -

宽度 - 1.5 mm -

高度 - 1.5 mm -

封装 - Mini-MELF -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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