IMB1AT110和RN2603(TE85L,F)

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IMB1AT110 RN2603(TE85L,F)

描述 双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 100MASM PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-457 SOT-457

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 56 @5mA, 5V 70 @10mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

额定电压(DC) -50.0 V -

额定电流 -100 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 SOT-457 SOT-457

长度 2.9 mm -

宽度 1.6 mm -

高度 1.1 mm -

产品生命周期 Not For New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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