BSH105和BSH105,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSH105 BSH105,215 BSH105TRL13

描述 BSH105 N沟道MOSFET 20V 1.05A SOT-23/SC-59 marking/标记 PJ5 低噪声增益控制放大器N 通道 MOSFET,高达 30V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsSmall Signal Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

耗散功率 - 0.417 W -

输入电容 - 152 pF -

漏源极电压(Vds) - 20 V -

上升时间 - 4.5 ns -

输入电容(Ciss) - 152pF @16V(Vds) -

额定功率(Max) - 417 mW -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 417 mW -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -

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