对比图
型号 IXTA32P05T IXTP32P05T IXTY32P05T
描述 P沟道 50V 32ATO-220AB P-CH 50V 32ATO-252AA P-CH 50V 32A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3
通道数 1 1 -
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 83 W 83 W 83W (Tc)
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
连续漏极电流(Ids) 32A 32A 32A
上升时间 28 ns 28 ns -
输入电容(Ciss) 1975pF @25V(Vds) 1975pF @25V(Vds) 1975pF @25V(Vds)
下降时间 27 ns 27 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)
漏源极电阻 - 39 mΩ -
阈值电压 - 4.5 V -
漏源击穿电压 - 50 V -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 - 10.66 mm -
宽度 - 4.83 mm -
高度 - 16 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free