对比图
型号 IXFH88N30P IXTQ88N30P IXFT86N30T
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ88N30P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 88 A, 300 V, 40 mohm, 10 V, 5 VTO-268 N-CH 300V 86A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-268-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.04 Ω 0.04 Ω 43 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 600 W 600 W 830 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V
连续漏极电流(Ids) 88.0 A 88.0 A 86A
上升时间 24 ns 24 ns 18 ns
反向恢复时间 200 ns 250 ns -
输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 11300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 600 W 600 W 830 W
下降时间 25 ns 25 ns 54 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 860W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - - 300 V
长度 16.26 mm - 16.05 mm
宽度 5.3 mm - 14 mm
高度 21.46 mm - 5.1 mm
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 -