FDFS2P106A和FDFS2P106A_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDFS2P106A FDFS2P106A_NL

描述 集成的60V P沟道PowerTrench MOSFET剖和肖特基二极管 Integrated 60V P-Channel PowerTrench剖 MOSFET and Schottky DiodeIntegrated 60V P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC

引脚数 8 -

极性 P-Channel P-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) -3.00 A 3A

额定电压(DC) -60.0 V -

额定电流 -3.00 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 110 mΩ -

耗散功率 2 W -

漏源击穿电压 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

上升时间 11 ns -

输入电容(Ciss) 714pF @30V(Vds) -

额定功率(Max) 900 mW -

下降时间 8.5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 900mW (Ta) -

封装 SOIC-8 SOIC

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.5 mm -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

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