JANTX2N6691和JANTXV2N6691

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6691 JANTXV2N6691 2N6691

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

封装 TO-61 TO-61 TO-61

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 15A 15A 15A

封装 TO-61 TO-61 TO-61

产品生命周期 Active Active Active

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