对比图
型号 PDTC123EE PDTC123EEF,115 MUN5235T1
描述 NPN电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩSC-89 NPN 50V 100mANPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
封装 SC-75 SOT-89 SC-70-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @20mA, 5V 80 @5mA, 10V
额定功率(Max) - 250 mW 202 mW
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 100 mA
封装 SC-75 SOT-89 SC-70-3
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 - Cut Tape (CT) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead